9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH60N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH60N15参考价格为5.564美元。IXYS IXTH60N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 60A TO247。您可以下载IXTH60N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH52P10P是MOSFET-52.0安培-100V 0.050 Rds，包括IXTH52P10系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-52A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为60nC，并且前向跨导Min为12S，并且信道模式为增强。
IXTH5N100A是MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH5N100系列，器件的上升时间为20 ns，漏极电阻Rds为2欧姆，Pd功耗为180 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5A，正向跨导最小值为6S，下降时间为30ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH60N10是MOSFET N-CH 100V 60A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于18 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如80 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为20 mOhms，上升时间为20 ns，系列为IXTH60N10，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
