9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH60N10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH60N10参考价格为0.552美元。IXYS IXTH60N10封装/规格：MOSFET N-CH 100V 60A TO247。您可以下载IXTH60N10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH52P10P是MOSFET-52.0安培-100V 0.050 Rds，包括IXTH52P10系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-52A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为60nC，并且前向跨导Min为12S，并且信道模式为增强。
带有用户指南的IXTH52N65X，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为26 ns，以及63 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为57 ns，器件具有68 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为113 nC，Pd功耗为660 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为52 A，正向跨导最小值为25 S，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH5N100A是MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了30 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如6 S，Id连续漏电流设计为在5 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1通道数量的通道，器件具有TO-247-3封装盒，封装为管，Pd功耗为180 W，漏极电阻Rds为2欧姆，上升时间为20 ns，系列为IXTH5N100，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
