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IXTH52P10P是MOSFET-52.0安培-100V 0.050 Rds，包括IXTH52P10系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-52A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为60nC，并且前向跨导Min为12S，并且信道模式为增强。
IXTH50P10是MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD，包括-5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-100 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为46 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTH50P10系列，上升时间为39纳秒，Rds漏极-源极电阻为55毫欧，Qg栅极电荷为140纳秒，Pd功耗为300瓦，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-50 A，正向跨导最小值为13 S，下降时间为38 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH50P085是MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD，包括增强信道模式，它们设计为使用单一配置，下降时间显示在数据表注释中，用于38纳秒，提供正向跨导最小特性，如8 S，Id连续漏极电流设计为在-50 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-247-3封装盒，封装为管，Pd功耗为300 W，Qg栅极电荷为150 nC，Rds漏极-源极电阻为55 mOhms，上升时间为39 ns，该系列为IXTH50P085，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为46ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为-85V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-5V。
IXTH52N65X带有EDA/CAD型号，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计用于Si，以及N沟道晶体管极性，该器件也可用作增强沟道模式。此外，Rds导通漏极-源极电阻为68 mOhms，该器件提供660 W Pd功耗，该器件具有650 V的Vds漏极-漏极-电源击穿电压，典型关断延迟时间为63 ns，上升时间为57 ns，Id连续漏极电流为52 a，Vgs栅极-源极阈值电压为3 V，典型接通延迟时间为26 ns，正向跨导最小值为25S，下降时间为16ns，Qg栅极电荷为113nC，通道数为1通道，单位重量为0.056438oz，Vgs栅极源极电压为+/-30V，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。
