9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH50N30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH50N30参考价格为0.648美元。IXYS IXTH50N30封装/规格：MOSFET N-CH 300V 50A TO247。您可以下载IXTH50N30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH50N20是MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD，包括IXTH50N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为50 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为18ns，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强型。
IXTH50N25T是MOSFET沟道栅功率MOSFET，包括250 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.056438盎司的单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作60毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用TO-247-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为50 a。
IXTH50N10，电路图由IXYS制造。IXTH50N10采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
