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IXTH460P2是MOSFET PolarP2功率MOSFET，包括IXTH460系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP2，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，Pd功耗为480 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为24 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs栅-源极阈值电压为4.5 V，Rds漏极-源极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为48nC，正向跨导最小值为14S，沟道模式为增强。
IXTH48N15是MOSFET 48安培150V 0.032 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为68 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IXTH48N15系列，该器件具有20 ns的上升时间，漏极电阻Rds为32 mOhms，Pd功耗为180 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为48A，下降时间为17ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTH450P2是MOSFET PolarP2功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为在16 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，封装为Tube，器件提供300 W Pd功耗，器件具有330 mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为IXTH450，技术为Si，商品名为Polar2 HiPerFET，晶体管极性为N通道，晶体管类型为1 N通道，单位重量为0.229281 oz，Vds漏极源极击穿电压为500 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
