9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH41N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH41N25参考价格为1.472美元。IXYS IXTH41N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 41A TO247。您可以下载IXTH41N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH40N50L2是MOSFET 40安培500V，包括IXTH40N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于线性L2，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管型，该器件具有540 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为44 ns，上升时间为133 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为127ns，典型导通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为320nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
IXTH40N30是MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在300 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH40N30系列，器件的上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为85 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为25 S，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH40N25，电路图由IXYS制造。IXTH40N25采用TO3P封装，是IC芯片的一部分。
