9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH30N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH30N50参考价格为12.464美元。IXYS IXTH30N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 30A TO247。您可以下载IXTH30N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH2R4N120P是MOSFET 2.4 Amps 1200V，包括IXTH2R5N120系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281 oz的数据表注释中，该产品具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为22ns，沟道模式为增强。
IXTH30N25是MOSFET N-CH 250V 30A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为79 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IXTH30N25系列，该器件具有19 ns的上升时间，漏极电阻Rds为75 mOhms，Pd功耗为200 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为17 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTH300N04T2是MOSFET沟槽T2功率MOSFET，包括300 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、Rds漏极电阻等封装特性，设计用于2.5 mOhms，以及IXTH300NO4系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.056438盎司，器件具有40V的Vds漏极-源极击穿电压。
