9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH12N90，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH12N90参考价格为3.30626美元。IXYS IXTH12N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 12A TO247。您可以下载IXTH12N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH12N150是MOSFET>1200V高压功率MOSFET，包括IXTH12N250系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式特征，封装外壳设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件也可用作890W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，器件的下降时间为14 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为12 a，Vds漏极-源极击穿电压为1500 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-源极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为106nC，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
IXTH12N100Q是MOSFET 12安培1000V 1.05 Rds，包括1000 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.229281盎司的单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作1.05欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为300W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为12A，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH12N120是由IXYS制造的N通道1200V 12A（Tc）500W（Tc）通孔TO-247（IXTH）。IXTH12N120在模块封装中提供，是模块的一部分，并支持N通道1200V 12A（Tc）500W（Tc）通孔TO-247（IXTH）。
