9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH120N15T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH120N15T参考价格为2.086美元。IXYS IXTH120N15T封装/规格：MOSFET N-CH 150V 120A TO247。您可以下载IXTH120N15T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH110N10L2是MOSFET L2线性功率MOSFET，包括IXTH110N0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有600 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为110A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为99ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为260nC，并且前向跨导Min为45S，并且信道模式为增强。
IXTH11P50是MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD，包括-0.122 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-500 V，提供单位重量功能，如0.229281盎司，典型开启延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTH11P50系列，上升时间为27ns，Rds漏极-源极电阻为750mOhms，Qg栅极电荷为130nC，Pd功耗为300W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-11 A，正向跨导最小值为5 S，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH10P60是MOSFET-10安培-600V 1 Rds，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于35 ns，提供正向跨导最小特性，如9 S，Id连续漏极电流设计为在-10 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-247-3封装盒，封装为管，Pd功耗为300 W，漏极电阻Rds为1欧姆，上升时间为27 ns，系列为IXTH10P60，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为33ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为-600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTH110N25T是MOSFET 110 Amps 250V，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXTH110N2 5系列。此外，信道模式为增强型，该器件提供694 W Pd功耗，该器件具有60 ns的典型关断延迟时间，下降时间为27 ns，上升时间为27纳秒，Vds漏极-源极击穿电压为250 V，Rds导通-漏极-漏极电阻为24 mOhms，Vgs栅极-源极电压为20 V，典型接通延迟时间为19 ns，Id连续漏极电流为110 A，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281盎司，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C。
