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IXTA96P085T是MOSFET P-CH 85V 96A TO-263，包括TrenchP？系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-263（IXTA），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为298W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为85V，输入电容Cis-Vds为13100pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为96A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为13 mOhm@48A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为180nC@10V，Pd功耗为298 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为34ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为-96A，Vds漏极-源极击穿电压为-85V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-2V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为180nC，正向跨导Min为40S，信道模式为增强。
IXTB30N100L是MOSFET 30 Amps 1000V，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1000 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为36 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTB30N100系列，上升时间为70ns，漏极-源极电阻Rds为450mOhm，Qg栅极电荷为545nC，Pd功耗为800W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为30 A，正向跨导最小值为6 S，下降时间为78 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTB62N50L是MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于75 ns，提供Id连续漏极电流特性，如62 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为800W，Rds漏极-源极电阻为100mOhms，上升时间为85ns，系列为IXTB62N50，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为36ns，单位重量为0.373904oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXTA96P085TTRL是MOSFET P-CH 85V 96A TO-263，包括TrenchP？系列，它们设计为与to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于to-263（IXTA），提供表面安装等安装型功能，FET功能设计为标准工作，以及MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，25°C的电流连续漏极Id为96A（Tc），该器件提供85V漏极到源极电压Vdss，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），Vgs最大Id为4V@250μA，最大功率为298W，栅极电荷Qg Vgs为180nC@10V，输入电容Cis Vds为13100pF@25V，最大Id Vgs上的Rds为13 mOhm@48A，10V。
