9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7136DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7136DP-T1-E3参考价格$4.928。Vishay Siliconix SI7136DP-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8。您可以下载SI7136DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7129DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7129DNV-GE3的零件别名，该SI7129DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52.1W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为3345pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为11.4mOhm@14.4A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为71nC@10V，Pd功耗为3.8W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-50℃，下降时间为14ns，上升时间为43ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-35A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极电阻为16m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型的接通延迟时间为50ns，正向跨导最小值为37S，信道模式为增强。
SI7135DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如110纳秒，典型的关闭延迟时间设计为110纳秒，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SI71xxDx系列，该器件具有100ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为5mOhms，Pd功耗为6.25W，零件别名为SI7135DP-GE3，封装为卷轴，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-60 A，正向跨导最小值为95 s，下降时间为50 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强。
SI7135CJ，带有SIX制造的电路图。SI7135CJ采用DIP28封装，是IC芯片的一部分。
SI7136DP，带有SI制造的EDA/CAD模型。SI7136D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
