SUD50N02-06P-E3

Name: SUD50N02-06P-E3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7164224-SUD50N02-06P-E3
Price: 98.735213 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 6.8W (Ta), 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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规格参数

包装数量 one
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
漏源电压标 (Vdss) 20伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
供应商设备包装 TO-252AA
部件状态过时的
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 20A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2550 pF@10 V
最大功耗 6.8W (Ta), 65W (Tc)
色彩/颜色黑色

SUD50N02-06P-E3 产品详情

SUD50N02-06P-E3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
SUD19P06-60-GE3	威世半导体 (Vishay Cera-Mite)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.3A（Tc）最大功耗: 2.3W（Ta），38.5W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.10576
SUD40N10-25-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.61185
SUD19N20-90-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc）最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.24971
SUD09P10-195-BE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），32.1W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.59104
SUD15N15-95-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 150伏漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc）最大功耗: 2.7W（Ta）、62W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥16.65867
SUD50N04-8M8P-4GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、50A（Tc）最大功耗: 3.1W（Ta），48.1W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.77792
SUD40N08-16-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.10485
SUD19P06-60L-E3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc）最大功耗: 2.7W（Ta）、46W（Tc）供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.9952
SUD50P06-15-VB		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,50A	¥6.17956
SUD50P06-15			¥10.98024

SUD50N02-06P-E3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SUD50N02-06P-E3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SUD50N02-06P-E3价格参考￥98.735213，你可以下载 SUD50N02-06P-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SUD50N02-06P-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息！