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FDD5690是MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于FDD5690_NL，提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1110pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为27mOhm@9A、10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为32nC@10V，Pd功耗为3.2W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为30 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为23毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24纳秒，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为24S，信道模式为增强。
FDD5690P，带有FSC制造的用户指南。FDD5690P采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
FDD5810是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 37A DPAK。FDD5810采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 37A DPak、N沟道60V 7.4A（Ta）、37A（Tc）72W（Tc）表面贴装D-PAK（TO-252）、Trans MOSFET N-CH60V 7.7A Automotive 3-Pin（2+Tab）DPak T/R。
