9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5855DC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5855DC-T1-E3参考价格$2.88。Vishay Siliconix SI5855DC-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8。您可以下载SI5855DC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5855CDC-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8，包括卷筒封装，它们设计用于SI5855CAC-E3零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于ChipFET-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有1.9 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为34 ns，上升时间为34纳秒，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为120m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
SI5855DC，带有VISHAY制造的用户指南。SI5855DC提供1206-8vs-8封装，是IC芯片的一部分。
SI5855DC-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI5855DC-T1采用MLP-8封装，是FET的一部分-单个。
