9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDD03N80Z-1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDD03N80Z-1G参考价格为0.40000美元。onsemi NDD03N80Z-1G封装/规格：MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK。您可以下载NDD03N80Z-1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NDD03N80Z-1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NDD03N50ZT4G是MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为58 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为7纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Rds漏极源极电阻为3.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为16nC，正向跨导Min为1.8S。
NDD03N60Z-1G是MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为3.3欧姆，器件提供12 nC Qg栅极电荷，器件具有61 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+125 C，Id连续漏电流为1.65 A，正向跨导最小值为2 S，配置为单一。
NDD03N60ZT4G是MOSFET N-CH 600V DPAK，包括单一配置，它们设计用于在2.6 a的数据表注释中显示的2 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流下工作，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有61W的Pd功耗，Qg栅极电荷为12nC，Rds漏极-源极电阻为3.3欧姆，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极源极击穿电压为600伏，并且Vgs栅极-源极电压是30V，并且Vgs第二栅极-源阈值电压是4.5V。
