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GKI06185

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta)、46W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 三垦电气株式会社 (Sanken)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥10.63258
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.63
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 8-DFN (5x6)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1510 pF@25 V
  • 制造厂商 三垦电气株式会社 (Sanken)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@350A.
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、46W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23.7 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 15毫欧姆 @ 15.5A, 10V

GKI06185 产品详情

GKI06185所属分类:分立场效应晶体管 (FET),GKI06185 由 三垦电气株式会社 (Sanken) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GKI06185价格参考¥10.632577,你可以下载 GKI06185中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GKI06185规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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