9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SFT1450-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SFT1450-TL-H参考价格为0.33000美元。onsemi SFT1450-TL-H封装/规格：MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA。您可以下载SFT1450-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SFT1446-H是MOSFET NCH 4V DRIVE系列，包括SFT1446系列，它们设计用于卷筒包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TP-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供23 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为51 mOhms，并且晶体管极性是N沟道。
SFT1446-TL-H是MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，其提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si以及SFT1446系列中工作，该器件也可以用作51毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为23 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有TP-3封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为20 a，配置为单通道。
SFT1450-H是MOSFET NCH 4.5V DRIVE系列，包括21 A Id连续漏极电流，它们设计为采用通孔安装方式运行。数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供IPAK-3等封装外壳功能，封装设计为批量工作，以及1 W Pd功耗，该器件也可以用作21mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为SFT1450，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40 V。
