9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR172DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR172DP-T1-GE3参考价格为0.73美元。Vishay Siliconix SIR172DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8。您可以下载SIR172DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR172ADP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO，包括SIR172ADP系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SO-8以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有29.8 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为24 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为29nC。
SIR172DP是SI制造的MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8。SIR172DP以PowerPAK®SO-8封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 20APPAK SO-8。
SIR172DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIR172DP-T1-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
