特色
- 700伏@TJ=150°C
- 低温运行时系统可靠性更高
- 超低栅极电荷（典型Qg=259 nC）
- 降低开关损耗
- 低有效输出电容（典型cos（eff.）=1972 pF）
- 降低开关损耗
- 出色的体二极管性能（低Qrr，坚固的体二极管）
- LLC和移相全桥电路的系统可靠性更高
- 优化的电容
- 较低峰值Vds和较低Vgs振荡
- 符合RoHS
- 100%雪崩测试
- 类型。RDS（开启）=23 mΩ
应用
- 电信
- 云系统
- 工业的
- 电信电源
- 服务器电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能/UPS
NTH027N65S3F_F155
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 595W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥18.28108
-
数量:
- +
- 总计: ¥18.28
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 至247-3
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tc)
- 最大功耗 595W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 27.4欧姆@35A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 7.5毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 259 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7690 pF @ 400 V
NTH027N65S3F_F155 产品详情
SUPERFET III MOSFET是ON Semiconductor全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，该系列利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和较低的栅极充电性能。这种先进的技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III型MOSFET非常适合各种小型化和高效率的电力系统。UPERFET IIIFRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件，提高系统可靠性。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NTHS0805N03N1001JR | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 1K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥14.42786 |
 | NTHS0805N03N3300KE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330 阻值公差: ±10% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥43.5588 |
 | NTHS0805N04N3303JU | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330k 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥6.78687 |
 | NTHS0805N06N2001JE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 2K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 安装类别: 表面安装 | ¥5.50891 |
NTH027N65S3F_F155所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTH027N65S3F_F155 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTH027N65S3F_F155价格参考￥18.281080，你可以下载 NTH027N65S3F_F155中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTH027N65S3F_F155规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
