9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY12N06T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY12N06T参考价格为0.624美元。IXYS IXTY12N06T封装/规格：MOSFET N-CH 60V 12A TO252。您可以下载IXTY12N06T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTY08N50D2是MOSFET N-CH MOSFET 500V 800MA，包括IXTY08N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件还可以用作1通道数的通道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供60 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为52 ns，上升时间为54 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为800 mA，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极漏极-漏极电阻为4.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为12.7nC，正向跨导Min为340mS。
IXTY08N120P是MOSFET 0.8安培1200V 25 Rds，包括1200 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于单位重量为0.081130 oz的情况下工作。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，它提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及IXTY08N220系列，该器件也可以用作25欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，封装为Tube，器件采用TO-220-3封装盒，器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为8A。
IXTY10P15T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括-10 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于to-252-3，提供管、漏极电阻等封装特性，设计为工作在350 mOhms，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件的单位重量为0.081130盎司，器件具有-150V的Vds漏极-源极击穿电压。
