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STL100N10F7是MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG,包括N沟道STripMOSFET系列,它们设计用于卷盘封装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装盒功能,如PowerFlat-8,技术设计用于Si,该设备也可以用作单一配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件提供5 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为15 ns,上升时间为40 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为19 A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V,Rds导通漏极-漏极电阻为7.3mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为46ns,典型接通延迟时间为27ns,Qg栅极电荷为61nC。
STL065SC2DM036N是CONN RCPT 65POS 30AWG 36IN,包括NANONICS商品名,它们设计用于非屏蔽屏蔽,系列如数据表注释所示,用于DUALOBE,NANONICS,提供I/O电缆等产品功能,零件号别名设计用于3-1589476-9,以及2行数,该设备也可以用作65个位置。此外,长度为3.00’(914.40mm),该设备提供插座到单独导线引线连接器类型,该设备具有连接器端B的导线,连接器端a为插座,颜色为多个,单独,电缆终端为压接。
STL065SC3DM072N是STL065SC 3DM072N=WDUALOBE,包括插座连接器端A,它们设计为与电线连接器端B一起工作,数据表注释中显示了用于4-1589476-0的零件号别名,该产品提供了输入/输出电缆等产品功能,系列设计用于STL,以及NANONICS商品名。
STL10,带有SAMSUNG制造的EDA/CAD模型。STL10采用BGA封装,是IC芯片的一部分。