9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT75N20L2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT75N20L2参考价格为10.626美元。IXYS IXTT75N20L2封装/规格：MOSFET N-CH 200V 75A DPAK。您可以下载IXTT75N20L2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTT74N20P是MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds，包括IXTT74N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT，以及to-268-2封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为480 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为21纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为74A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为107nC，正向跨导Min为30S，并且信道模式是增强。
IXTT75N10L2是MOSFET LINEAR L2系列MOSFET 100V 75A，包括2.5 V至4.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.229281盎司，典型开启延迟时间设计为23 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTT75N10系列，上升时间为14ns，Rds漏极-源极电阻为21mOhms，Qg栅极电荷为215nC，Pd功耗为400W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为75 A，正向跨导最小值为53 S 35 S，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTT75N10是MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了30 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如75 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为20 mOhms，上升时间为60 ns，系列为IXTT75N10，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为40ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
