9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN3005LK3-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN3005LK3-13参考价格1.69426美元。Diodes Incorporated DMN3005LK3-13封装/规格：MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3。您可以下载DMN3005LK3-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2990UFA-7B是MOSFET N-CH 20V 0.51A，包括DMN2990系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在3-X2-DFN0806供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道、金属氧化物，最大功率为400mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为27.6pF@16V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为510mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为990mOhm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.5nC@4.5V，Pd功耗为400mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.4 ns，上升时间为3.3 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为510mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为990mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型导通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为0.5nC，并且前向跨导Min为180mS，并且信道模式为增强。
DMN2990UFZ-7B是MOSFET 20V N-Ch Enh FET Dual。25A。32W 389pF，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-8 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为22 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMN2990系列，该器件的上升时间为2.1 ns，漏极-源极电阻Rds为990 mOhms，Qg栅极电荷为1 nC，Pd功耗为320 mW，封装为卷轴式，封装盒为X2-DFN0606-3，通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为250 mA，正向跨导最小值为180 mS，下降时间为7.7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMN2990UDJ-7是MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963，包括450mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在0.5nC@4.5V下工作，除了27.6pF@16V输入电容Ciss Vds外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用SOT-963封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为350mW，最大Id Vgs为990 mOhm@100mA，4.5V，供应商设备包为SOT-963，Vgs th Max Id为1V@250μA。
