9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT10P50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT10P50参考价格为6.074美元。IXYS IXTT10P50封装/规格：MOSFET P-CH 500V 10A TO268。您可以下载IXTT10P50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTT100N25P是MOSFET 100安培250V 0.027 Rds，包括IXTT100N2 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为27mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为185nC，正向跨导Min为40S，并且信道模式是增强。
IXTT02N450HV是MOSFET 4500V 200mA高压功率MOSFET，包括4 V至6.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于4500 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为17 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTT02N450系列，上升时间为48ns，Rds漏极-源极电阻为750欧姆，Qg栅极电荷为10.4nC，Pd功耗为113W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为200 mA，正向跨导最小值为100 mS，下降时间为143 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTT10N100D是MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于75 ns，提供正向跨导最小特性，如3 S，Id连续漏电流设计为在10 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1通道数的通道，器件具有TO-268-2封装盒，封装为管，Pd功耗为400 W，Qg栅极电荷为130 nC，Rds漏极-源极电阻为1.4欧姆，上升时间为85 ns，系列为IXTT10N100，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为-3.5V。
IXTT10N100D2是MOSFET D2耗尽模式功率MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-268-2封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IXTT10N200系列，该设备也可以用作耗尽通道模式。此外，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V，器件提供10 A Id连续漏极电流，器件具有1.5欧姆的Rds漏极源极电阻，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281盎司。
