9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ250N075T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ250N075T参考价格为3.018美元。IXYS IXTQ250N075T封装/规格：MOSFET N-CH 75V 250A TO3P。您可以下载IXTQ250N075T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTQ22N60P是MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P，包括IXTQ22N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品提供了通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有400 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为22 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为350m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为21S，沟道模式为增强。
IXTQ23N60Q是MOSFET 23安培600V 0.320 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.194007盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTQ23N60系列，器件的上升时间为20ns，漏极电阻Rds为320mOhms，Pd功耗为400W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为23A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTQ24N55Q是MOSFET 24安培550V 0.270 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了用于11 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如24 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-3P-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为400 W，Rds漏极-源极电阻为270 mOhms，上升时间为20 ns，系列为IXTQ24N55，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为16ns，单位重量为0.194007oz，Vds漏极-源极击穿电压为550V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXTQ22N50Q，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTQ22N50Q采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
