9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ110N055P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ110N055P参考价格为0.348美元。IXYS IXTQ110N055P封装/规格：MOSFET N-CH 55V 110A TO3P。您可以下载IXTQ110N055P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTQ110N055P价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTQ10P50P是MOSFET-10.0安培-500V 1.000 Rds，包括IXTQ10P50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.194007盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为44 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强型。
IXTQ102N25T是MOSFET 102安培250V 29 Rds，包括250 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.194007盎司的单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该N沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作29欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用TO-3P-3包装箱，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为102A。
IXTQ102N20T是由IXYS制造的MOSFET N-CH 200V 102A TO3P。IXTQ102N20T以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 102A TO3P、N沟道200V 102B（Tc）750W（Tc）通孔TO-3P、Trans MOSFET N-CH200V 102C汽车3引脚（3+Tab）TO-3P。
