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IXKR47N60C5是MOSFET 47安培600V 0.045 Rds，包括IXKR47N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于COOLMOS，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为47 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为150nC，沟道模式为增强。
IXKT70N60C5是MOSFET 70安培600V，包括-600V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.158733盎司的单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1个P沟道，提供晶体管极性特性，如P沟道，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-268-2，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为-68A，配置为单通道。
IXKT70N60C5-TRL是MOSFET 70安培600V，包括卷筒封装，它们设计用于IXKT70N70系列，技术如数据表注释所示，用于Si。
