9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP180N055T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP180N055T参考价格为1.88美元。IXYS IXTP180N055T封装/规格：MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB。您可以下载IXTP180N055T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP170N075T2是MOSFET 170 Amps 75V，包括IXTP170NO75系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于TrenchT2，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为170A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为109nC，正向跨导Min为40S，并且信道模式是增强。
IXTP16N50P是MOSFET N-CH 500V 16A TO-220，包括5.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为24 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTP16N50，上升时间为28ns，漏极-源极电阻Rds为400mOhm，Qg栅极电荷为43nC，Pd功耗为300W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为16 A，正向跨导最小值为9 S，下降时间为25 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTP160N10T是MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于42 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如160 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为430 W，漏极-源极电阻Rds为7 mOhms，上升时间为61 ns，系列为IXTP160N10，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为49ns，典型接通延迟时间为33ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V。
