9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP152N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP152N085T参考价格为6.428美元。IXYS IXTP152N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 152A TO220AB。您可以下载IXTP152N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP14N60P是MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds，包括IXTP14N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型导通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为36nC，正向跨导最小值为7S，并且信道模式是增强。
IXTP140P05T是MOSFET-140安培-50V 0.008 Rds，包括-4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在15 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-50 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为28 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件以TrenchP商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTP140P05，上升时间为34ns，漏极-源极电阻Rds为9mOhm，Qg栅极电荷为200nC，Pd功耗为298W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-140 A，正向跨导最小值为44 S，下降时间为25 ns，信道模式为增强型。
IXTP140N055T2是MOSFET 140 Amps 0V，包括140 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式工作，数据表中显示了用于1通道的通道数，该通道提供封装外壳功能，如to-220-3，封装设计为在管中工作，以及5.4 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作IXTP140N055系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.012346盎司，Vds漏极-源极击穿电压为55 V。
