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IXTP10P50P是MOSFET P-CH 500V 10A TO-220，包括PolarP？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.081130盎司，提供安装式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP，以及to-220-3包装盒，该设备也可以用作Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-220AB，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为2840pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1 Ohm@5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为44 ns，上升时间为28ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-10A，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Vgs第栅极-源阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型导通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为50nC，正向跨导Min为6.5S，信道模式为增强。
IXTP10N60P是MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为20 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTP10N60，上升时间为24 ns，漏极-源极电阻Rds为740 mOhm，Qg栅极电荷为32 nC，Pd功耗为200 W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为10 A，正向跨导最小值为6 S，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTP102N15T是MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于22 ns，提供Id连续漏极电流特性，如102 a，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为455W，漏极-源极电阻Rds为18m欧姆，上升时间为14ns，系列为IXTP102N15，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTP10P15T是MOSFET TenchP功率MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在P沟道中工作，该器件也可以用作350m欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，单位重量为0.012346盎司，该设备提供-150V Vds漏极源击穿电压，该设备具有-10A的Id连续漏极电流。
