9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTF1R4N450，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTF1R4N450参考价格85.96000美元。IXYS IXTF1R4N450封装/规格：MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC。您可以下载IXTF1R4N450英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTF02N450是MOSFET 4500V 200mA高压功率MOSFET，包括IXTF02N350系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式特征，封装外壳设计用于ISOPLUS-i4-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有78 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为143 ns，上升时间为48 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为4500V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V至6.5V，Rds漏极源极电阻为750欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为10.4nC，正向跨导最小值为100mS，信道模式是增强。
IXTE250N10是MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.056438 oz单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计用于Si，以及IXTE250N20系列，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的5mOhms Rds。此外，Pd功耗为730 W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为250 a，配置为单通道。
IXTC1088，电路图由IXYS制造。IXTC1088采用DIP40封装，是IC芯片的一部分。
IXTC110N25T是由IXYS制造的MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220。IXTC110N25T在ISOPLUS220中提供™ 封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220，N沟道250V 50B（Tc）180W（Tc，通孔ISOPLUS20？。
