9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA98N075T7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA98N075T7参考价格1.888美元。IXYS IXTA98N075T7封装/规格：MOSFET N-CH 75V 98A TO263-7。您可以下载IXTA98N075T7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTA98N075T7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTA96P085T是MOSFET P-CH 85V 96A TO-263，包括TrenchP？系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-263（IXTA），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为298W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为85V，输入电容Cis-Vds为13100pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为96A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为13 mOhm@48A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为180nC@10V，Pd功耗为298 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为34ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为-96A，Vds漏极-源极击穿电压为-85V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-2V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为180nC，正向跨导Min为40S，信道模式为增强。
IXTA90N055T2是MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为39 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA90N055系列，器件的上升时间为21ns，漏极电阻Rds为8.4mOhms，Pd功耗为150W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为90 A，下降时间为19 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTA90N075T2是MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了20 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如90 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为10 mOhms，上升时间为28 ns，系列为IXTA90N075，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为14ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTA96P085TTRL是MOSFET P-CH 85V 96A TO-263，包括TrenchP？系列，它们设计为与to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于to-263（IXTA），提供表面安装等安装型功能，FET功能设计为标准工作，以及MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，25°C的电流连续漏极Id为96A（Tc），该器件提供85V漏极到源极电压Vdss，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），Vgs最大Id为4V@250μA，最大功率为298W，栅极电荷Qg Vgs为180nC@10V，输入电容Cis Vds为13100pF@25V，最大Id Vgs上的Rds为13 mOhm@48A，10V。
