9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN3050S-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN3050S-7参考价格为7.682美元。Diodes Incorporated DMN3050S-7封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3。您可以下载DMN3050S-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的DMN3035LWN-7，包括DMN3035系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerVDFN，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在V-DFN3020-8供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为770mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为399pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.5A，最大Id Vgs的Rds为35 mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.9nC@10V，Pd功耗为1.78 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns 2 ns，上升时间为3.3 ns 3.3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V+/-20 V，Id连续漏极电流为5.5 A 5.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V 30 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1 V 1 V，Rds漏极源极电阻为45 m欧姆45 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.6 ns 10.6 ns，典型的开启延迟时间为3ns 3ns，Qg栅极电荷为9.9nC 9.9nC，信道模式为增强。
带用户指南的DMN3042L-7，包括0.000282盎司单位重量，设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于DMN3042以及卷筒包装，该设备也可作为SOT-23-3包装箱使用。此外，信道数为1信道，该设备以SMD/SMT安装方式提供。
带有电路图的DMN3042L-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMN3042，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
