9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA1N80，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA1N80参考价格2.734美元。IXYS IXTA1N80封装/规格：MOSFET N-CH 800V 750MA TO263。您可以下载IXTA1N80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTA1N120P是MOSFET 1安培1200V 20 Rds，包括IXTA1N120系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有63 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Rds导通漏极-漏极电阻为20欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为54ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
IXTA1N170DHV和用户指南，包括Si技术。
IXTA1N200P3HV是由IXYS制造的“MOSFET 2000V/1A高压功率MOSFET”。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 2000 V/1A高压电源MOSFET、N沟道2000 V 1A（Tc）125W（Tc）表面安装TO-263（IXTA）、MOSFET 2000 V/1A高压电源MOSFET、TO-263HV”。
