9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY50N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY50N085T参考价格为1.658美元。IXYS IXTY50N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 50A TO252。您可以下载IXTY50N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTY44N10T是MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds，包括IXTY44N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchMV，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为130 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为44A，Vds漏极-源极击穿电压为85V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为33nC，正向跨导Min为13S，并且信道模式是增强。
IXTY4N60P是MOSFET PolarHV功率MOSFET，包括5.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为25 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为PolarHV，该器件采用Si技术，该器件具有IXTY4N60系列，上升时间为10ns，漏极源极电阻Rds为2欧姆，Qg栅极电荷为13nC，Pd功耗为89W，封装为Tube，封装盒为TO-252-3，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4 A，正向跨导最小值为2.8 S，下降时间为20 ns，信道模式为增强。
IXTY4N65X2带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了25 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如2.5 S，Id连续漏电流设计为在4 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为80W，Qg栅极电荷为8.3nC，Rds漏极-源极电阻为850mOhm，上升时间为28ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为57ns，典型接通延迟时间为22ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，第Vgs栅极源极阈值电压为3V。
IXTY48P05T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-252-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及IXTY48P0.05系列，该器件也可以用作30mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，单位重量为0.081130盎司，该器件提供-50 V Vds漏极源击穿电压，该器件具有-48 a的Id连续漏极电流。
