9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA180N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA180N085T参考价格为11.818美元。IXYS IXTA180N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 180A TO263。您可以下载IXTA180N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA16N50P是MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds，包括IXTA16N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438 oz，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为16 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为400m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为24ns，正向跨导最小值为16S，沟道模式为增强。
IXTA170N075T2是MOSFET 170安培75V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA170N075系列，器件的上升时间为11ns，漏极电阻Rds为5.4mOhms，Pd功耗为360W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为170 A，下降时间为19 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTA160N10T是MOSFET N-CH 100V 160A TO-263，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于42 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如160 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为430 W，漏极-源极电阻Rds为7 mOhms，上升时间为61 ns，系列为IXTA160N10，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为49ns，典型接通延迟时间为33ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V。
IXTA180N085，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTA180N085在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
