9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY1N80，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY1N80参考价格为11.678美元。IXYS IXTY1N80封装/规格：MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA。您可以下载IXTY1N80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTY18P10T是MOSFET-100V-18A，包括IXTY18P11系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于2300 g，提供SMD/SMT等安装方式功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有83 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为-18 a，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2.5V至-4.5V，Rds导通漏极-漏极-电源电阻为120m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为39nC，正向跨导最小值为13S，信道模式是增强。
IXTY1N100P是MOSFET 1安培1000V 14 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IXTY1N100系列，该器件的上升时间为26 ns，漏极电阻Rds为15欧姆，Pd功耗为50 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1A，下降时间为24ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTY15P15T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括-15 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于to-252-3，提供管、Rds漏极电阻等封装特性，设计为工作在240 mOhms，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件的单位重量为0.081130盎司，器件具有-150V的Vds漏极-源极击穿电压。
