9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY01N80，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY01N80参考价格$1.714。IXYS IXTY01N80封装/规格：MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA。您可以下载IXTY01N80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTY01N80价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTY01N100是MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK，包括IXTY01N200系列，它们设计用于切割胶带（CT）封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252AA，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为25W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为54pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为100mA（Tc），最大Id Vgs的Rds为80 Ohm@100mA，10V，Vgs的最大Id为4.5V@25μA，栅极电荷Qg Vgs为6.9nC@10V，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100mA，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为80欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型导通延迟时间为12s，正向跨导最小值为160mS，信道模式是增强。
IXTX90P20P是MOSFET-90.0安培-200伏0.044 Rds，包括-4伏Vgs栅源阈值电压，它们设计用于20伏Vgs栅极-源极电压，漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-200伏，提供单位重量功能，如0.257500盎司，典型开启延迟时间设计为32纳秒，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件以PolarP商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTX90P20，上升时间为60 ns，漏极-源极电阻Rds为44 mOhm，Qg栅极电荷为205 nC，Pd功耗为890W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-90 A，正向跨导最小值为30 S，下降时间为28 ns，信道模式为增强型。
IXTY01N100D是由IXYS制造的MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA。IXTY01N100D提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA、N沟道1000V 100mA（Tc）1.1W（Ta）、25W（Tc）表面安装TO-252、（D-Pak）、Trans-MOSFET N-CH Si 1KV 3引脚（2+Tab）TO-252AB。
