9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA4N60P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA4N60P参考价格为0.682美元。IXYS IXTA4N60P封装/规格：MOSFET N-CH 600V 4A TO263。您可以下载IXTA4N60P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTA4N60P价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTA48N20T是MOSFET 48安培200V 50 Rds，包括IXTA48N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为48 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
IXTA48P05T是MOSFET TenchP功率MOSFET，包括-50 V Vds漏极-源极击穿电压，它们的设计工作单位重量为0.056438盎司，晶体管类型如数据表注释所示，用于1个P通道，提供晶体管极性特性，如P通道，技术设计用于Si，以及IXTA48P0.05系列，该器件也可以用作30mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，封装为管式，该器件采用TO-263AA-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为-48A。
IXTA4N100，电路图由IXYS制造。IXTA4N100采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
