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IXTA14N60P是MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds，包括IXTA14N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型导通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为36nC，正向跨导最小值为7S，并且信道模式是增强。
IXTA130N10T是MOSFET N-CH 100V 130A TO-263，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.056438盎司单位重量下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于30 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如44 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为IXTA130N10，器件的上升时间为47ns，器件的漏极-源极电阻为8.5mOhms，Pd功耗为360W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏极电流为130 A，正向跨导最小值为93 S，下降时间为28 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXTA130N065T2是MOSFET 130 Amps 65V，包括130 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。to-263-3中使用的数据表说明中显示了封装盒，该封装盒提供了管、漏极电阻等封装特性，设计为工作在6.6 mOhms，以及IXTA130NO65系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件的单位重量为0.056438盎司，该器件具有65 V的Vds漏极-源极击穿电压。
IXTA140P05T是MOSFET-140安培-50V 0.008 Rds，包括管封装，它们设计为与to-263AA-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及IXTA140P0.05系列，该器件也可以用作9毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，单位重量为1600克，器件提供-50 V Vds漏极源击穿电压，器件具有-140 a的Id连续漏极电流。
