9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP4N60P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP4N60P价格参考2.538美元。IXYS IXTP4N60P封装/规格：MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB。您可以下载IXTP4N60P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP460P2是MOSFET PolarP2功率MOSFET，包括IXTP460系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP2，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，Pd功耗为480 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为24 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs栅-源极阈值电压为4.5 V，Rds漏极-源极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为48nC，正向跨导最小值为14S，沟道模式为增强。
IXTP48N20T是MOSFET 48安培200V 50 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为46 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP48N20系列，器件的上升时间为26 ns，漏极电阻Rds为50 mOhms，Pd功耗为250 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为48 A，下降时间为28 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTP48P05T是MOSFET TenchP功率MOSFET，包括-48 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式工作，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-220-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及30 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXTP48P05系列。此外，该技术为硅，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型P沟道，单位重量为0.012346盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-50 V。
