9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA110N055T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA110N055T参考价格0.994美元。IXYS IXTA110N055T封装/规格：MOSFET N-CH 55V 110A TO263。您可以下载IXTA110N055T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA10P50P是MOSFET P-CH 500V 10A TO-263，包括PolarP？系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-263（IXTA），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为2840pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1 Ohm@5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为44 ns，上升时间为28ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型导通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
IXTA100N04T2是MOSFET 100安培40V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为15.8 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA100N04系列，器件的上升时间为5.2 ns，漏极电阻Rds为7 mOhms，Pd功耗为150 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为100 A，下降时间为6.4 ns，配置为单一，通道模式为增强。
带有电路图的IXTA10P50PTRL，包括10A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在500V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如MOSFET P沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，设计为在50nC@10V下工作，除了2840pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备提供TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，该设备具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为300W，最大Id Vgs为1 Ohm@5A、10V，系列是PolarP？，供应商设备包为TO-263（IXTA），Vgs th最大Id为4V@250μA。
IXTA102N15，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTA102N15采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 150V 102A TO-263。
