9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP2N60P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP2N60P参考价格为0.846美元。IXYS IXTP2N60P封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB。您可以下载IXTP2N60P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTP2N60P价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTP28P065T是MOSFET 28 Amps 65V 0.045 Rds，包括IXTP28P015系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有83 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为15 V，并且Id连续漏极电流为-28A，Vds漏极-源极击穿电压为-65V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为46nC，并且前向跨导Min为10S，并且信道模式为增强。
IXTP2N100P是MOSFET 2安培1000V 7.5 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP2N100系列，器件的上升时间为29 ns，漏极电阻Rds为7.5欧姆，Pd功耗为86 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2A，下降时间为27ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTP2N100是MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了30 ns的下降时间，提供了Id连续漏电流特性，如2A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为100W，Rds漏极-源极电阻为7欧姆，上升时间为15ns，系列为IXTP2N100，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为350mg，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
