9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXKG25N80C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXKG25N80C参考价格为2.92美元。IXYS IXKG25N80C封装/规格：MOSFET N-CH 800V 25A ISO264。您可以下载IXKG25N80C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXKC23N60C5是MOSFET 23安培600V 0.1 Rds，包括IXKC23N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于COOLMOS，以及to-220-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为147 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为23A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为60nC，沟道模式为增强。
IXKF40N60SCD1是MOSFET 40 Amps 600V，包括3.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS ISOPLUS i4 PAC商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXKF40N60，上升时间为18ns，漏极电阻Rds为70mOhm，Qg栅极电荷为250nC，封装为Tube，封装外壳为ISOPLUS-i4-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为41 A，下降时间为50 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXKC25N80C是MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了10 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如25 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Qg栅极电荷为180 nC，漏极-源极电阻Rds为150 mOhms，上升时间为25 ns，系列为IXKC25N80，技术为Si，商品名为CoolMOS ISOPLUS，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.012346oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V。
IXKC40N60C是MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds，包括管封装，它们设计用于to-220-3封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供单级等配置功能，技术设计用于Si，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXKC40N80系列。此外，信道模式为增强型，该器件以COOLMOS商标提供，该器件具有960 mOhms的Rds漏极-源极电阻，典型关断延迟时间为67 ns，Vds漏极源极击穿电压为600 V，上升时间为5 ns，下降时间为4.5 ns，单位重量为350 mg，Pd功耗为250 W，Id连续漏极电流为24A，Vgs栅极-源极电压为20V，典型导通延迟时间为10ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
