9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF16NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF16NM50N参考价格为0.734美元。STMicroelectronics STF16NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP。您可以下载STF16NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF16N65M5是MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP，包括MDmesh M5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为12 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为279mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为31nC，沟道模式为增强。
STF16NF25是MOSFET N-CH 250V 14A TO-220FP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件具有17纳秒的上升时间，漏极-源极电阻Rds为235毫欧，Pd功耗为25瓦，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为17 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF16NK60Z是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP。STF16NK 60Z可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 14A TO-220FP、N沟道600V 14A（Tc）40W（Tc）通孔TO-220FP、跨MOSFET N-CH2 600V 14A 3引脚（3+Tab）TO-220FP管。
