9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF15NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF15NM60N价格参考3.684美元。STMicroelectronics STF15NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP。您可以下载STF15NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF15N80K5是MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有35 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为17.6 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为14 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为300mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为32nC。
STF15N95K5是MOSFET N-CH 950V 0.41欧姆典型值。12A MDmesh K5，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于950 V，提供0.011640 oz等单位重量特性，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh K5，器件提供410 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有40 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为40 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为12 A，配置为单一。
STF15NK80K5，带有ST制造的电路图。STF15NK 80K5采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
