9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT88N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT88N15参考价格为1.878美元。IXYS IXTT88N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 88A TO268。您可以下载IXTT88N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTT82N25P是MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds，包括IXTT82N2 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT，以及to-268-2封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为82A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为78ns，典型接通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为142nC，正向跨导Min为30S，并且信道模式是增强。
IXTT75N10L2是MOSFET LINEAR L2系列MOSFET 100V 75A，包括2.5 V至4.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.229281盎司，典型开启延迟时间设计为23 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTT75N10系列，上升时间为14ns，Rds漏极-源极电阻为21mOhms，Qg栅极电荷为215nC，Pd功耗为400W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为75 A，正向跨导最小值为53 S 35 S，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTT80N20L是MOSFET标准线性功率MOSFET，包括增强通道模式，它们设计为在29 ns的下降时间下工作，数据表说明中显示了30 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流特性，例如80 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，封装外壳为TO-268-2，器件采用管封装，器件具有520 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为180 nC，Rds漏极-源极电阻为32 mOhm，上升时间为44 ns，系列为IXTT80N20，技术为Si，商品名为线性，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为29ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为4V。
IXTT75N20L2是MOSFET MOSFET，包括管封装，它们设计用于to-268-2封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，系列设计用于IXTT75N2 0，以及0.229281盎司单位重量。
