9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB13NM50N-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB13NM50N-1参考价格为2.236美元。STMicroelectronics STB13NM50N-1封装/规格：MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK。您可以下载STB13NM50N-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB13NK60ZT4是MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为61ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为66nC，正向跨导最小值为11S，沟道模式为增强。
STB13N80K5是MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为16 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的MDmesh K5，上升时间为16ns，Rds漏极-源极电阻为450m欧姆，Qg栅极电荷为29nC，Pd功耗为190W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为16 ns，配置为单一。
STB13NK60Z-1，带有ST制造的电路图。STB13NK60Z-1采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
