9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT50P085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT50P085参考价格为1.186美元。IXYS IXTT50P085封装/规格：MOSFET P-CH 85V 50A TO268。您可以下载IXTT50P085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTT500N04T2是MOSFET Trench T2功率MOSFET，包括IXTT500NO4系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.229281盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Trench T2，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，Pd功耗为1 kW，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为44 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为500 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs栅-源极阈值电压为3.5 V，Rds漏极-源极电阻为1.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为37ns，Qg栅极电荷为405nC，正向跨导最小值为75S，沟道模式为增强。
IXTT48P20P是MOSFET P-CH 200V 48A TO-268，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为67 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTT48P20系列，器件的上升时间为46 ns，漏极电阻Rds为85 mOhms，Pd功耗为462W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为48A，下降时间为27ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTT50N30是MOSFET 50 Amps 300V 0.065 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了17 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流特性，例如50 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为400 W，漏极-源极电阻Rds为65 mOhms，上升时间为33 ns，系列为IXTT50N30，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为24ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTT440N055T2是MOSFET N沟道沟槽栅沟槽T2 MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-268-2封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及IXTT440NO55系列，该器件也可以用作55V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Id连续漏极电流为440 A，该器件提供1.8 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件具有1个晶体管型N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.229281盎司。
