9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP1R6N50P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP1R6N50P参考价格$1.254。IXYS IXTP1R6N50P封装/规格：MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB。您可以下载IXTP1R6N50P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP1R4N60P是MOSFET 1.4安培600 V 8 Ohm Rds，包括IXTP1R5N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为50W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为1.4A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为5.2nC，正向跨导最小值为0.7S，并且信道模式是增强。
IXTP1R6N50D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）500V 1.6A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP1R6N50系列，器件的上升时间为70 ns，漏极-源极电阻Rds为2.3欧姆，Qg栅极电荷为23.7 nC，Pd功耗为100 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为1.6 A，正向跨导最小值为1.75 S，下降时间为41 ns，配置为单通道，通道模式为耗尽模式。
IXTP1R6N100D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）1000V 1.6A，包括1.6A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式工作。数据表中显示了用于1通道的通道数，该通道提供to-220-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及10欧姆Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作IXTP1R6N100系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.081130盎司，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V。
